|
Szczegóły Produktu:
|
| Rodzaj: | DIAC | Materiał: | Krzem |
|---|---|---|---|
| typ przesyłki: | SMD | Pakiet: | MINI MELF |
| moc: | 150mW | VBO: | 28-36V |
| VBO Typ: | 32 V. | IBO: | 100μA |
| High Light: | Diac Trigger Diod Mini Melf,diac db4,diac db4 |
||
|
WARUNEK BADANIA
|
SYMBOLIKA
|
WARTOŚĆ
|
JEDNOSTKI
|
|||
| Min. | Typ. | Maks. | ||||
|
Napięcie przebicia
|
C = 22nF
|
VBO
|
35 | 40 | 45 |
VOLTS
|
|
Symetria napięcia przebicia
|
C = 22nF
|
I + VBOI-I-VBOI
|
-3
|
3 |
VOLTS
|
|
|
Dynamiczne napięcie przebicia
|
(NOTATKA 1)
|
IDV ± I
|
5 |
VOLTS
|
||
|
Napięcie wyjściowe
|
DIAGRAM2
|
VO
|
5 |
VOLTS
|
||
|
Prąd przebicia
|
C = 22nF
|
IBO
|
100 |
mama
|
||
|
Czas narastania
|
DIAGRAM3 |
tr
|
1.5 |
SM
|
||
|
Prąd upływu
|
VR = 0,5 VBO
|
IB
|
10 |
mama
|
||
|
Straty mocy na obwodzie drukowanym
|
TA = 65 ° C
|
Pd
|
150 |
mW
|
||
|
Powtarzalny szczytowy prąd w stanie włączenia
|
tp = 20 µs
f = 100 Hz
|
ITRM
|
2 | ZA | ||
|
Opory cieplne od złącza do otoczenia
|
RQJA
|
400 |
℃ / W
|
|||
|
Opory cieplne od złącza do ołowiu
|
RQJL
|
150 | ℃ / W | |||
|
Temperatura robocza i temperatura przechowywania
|
TJ, TSTG
|
-40 | 125 | ℃ | ||
| Rodzaj | Napięcie przebicia | Maks.Symetria napięcia przebicia | Maks.Szczytowy prąd przełomu | Maks.Dynamiczne napięcie przebicia | Maks.Szczytowy prąd w stanie włączenia | Pakiet | ||
| V | V | μA | V | ZA | ||||
| Min. | Typ. | Maks. | ||||||
| DB3 | 28 | 32 | 36 | 3 | 100 | 5 | 2 | DO-35 |
| DB4 | 35 | 40 | 45 | 3 | 100 | 5 | 2 | DO-35 |
| DB6 | 56 | 63 | 70 | 3 | 100 | 5 | 2 | DO-35 |
| DB́8 | 72 | 80 | 88 | 3 | 100 | 5 | 2 | DO-35 |
Osoba kontaktowa: Ms. Selena Chai
Tel: +86-13961191626
Faks: 86-519-85109398
